一种NAND Flash坏块管理优化方法的实现
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1.哈尔滨工业大学哈尔滨150080;2. 第二炮兵驻699厂军代室北京100039

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中图分类号:

TP274.2

基金项目:


Realization of an optimizing method of bad block management in NAND flash
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1.Harbin Institute of Technology, Harbin 150080,China;2. The Military Representative office in 699 factory, the Second Artillery Corps, Beijing 100039,China

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    摘要:

    由于高速数据采集系统中数据传输的高速性,系统后端需要保证高速的数据存储速度。在基于NAND Flash的存储系统中,提出了一种以页为单元跳过和替换坏块的NAND Flash坏块管理方法。与传统的以块为单位处理坏块的方法不同,此方法保证了不会因为坏块的出现而大幅降低写入速度,提高了Flash存储资源的利用率,并且降低了缓存资源的占用。此设计应用在一个基于FPGA的高速数据采集系统中,测试表明该方法能够正确处理NAND Flash的相关坏块问题,在坏块出现时使存储的瞬时速度几乎保持不变,并且具有较高的稳定性。

    Abstract:

    Due to the high speed of data transmission in data acquisition system, the system need ensure the high speed data storage speed. This paper introduces a new bad block management of NAND Flash in a NAND Flash storage system, which is based on judging and jumping bad blocks by the unit of page. Compared with the traditional management by the unit of block, this design guarantees the speed of programming won’t decrease if bad blocks appear , improves the utilization rate of Flash storage resource, and decreases occupying the resource of cache. This design used in a high speed data acquisition system based on FPGA,test result shows that the bad block management makes sure the speed almost remain the same when bad blocks occur, and handles the NAND Flash bad block issues correctly with highly stability.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

乔立岩,李元亨,王戈,徐红伟.一种NAND Flash坏块管理优化方法的实现[J].电子测量技术,2015,38(7):19-21

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  • 在线发布日期: 2016-05-27
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